集成电路的刻蚀是一种工艺步骤，用于去除晶圆表面不需要的材料，以形成所需的电路图案和结构。以下是有关刻蚀工艺的详细介绍：
刻蚀技术的定义
· 概念：刻蚀技术是半导体工艺中用来去除晶圆表面材料的过程。
· 作用：它根据掩模图形或设计要求，对半导体衬底或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离，以得到所需的电路图案。
刻蚀技术的分类
· 湿法刻蚀：这是一种使用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应的过程。它的优点是选择性高、重复性好、生产效率高、设备简单、成本低。缺点是缺乏各向异性、工艺控制能力差、过度的颗粒污染。
· 干法刻蚀：这种方法使用等离子体进行薄膜材料的刻蚀加工，可以实现侧壁侵蚀现象极微和高刻蚀率。其优点是各向异性好、选择比高、可控性、灵活性、重复性好，适用于精细线宽的工艺技术。
湿法刻蚀的过程
· 过程描述：在晶圆表面涂敷光致抗蚀剂后，通过掩模对抗蚀剂层进行选择性曝光，然后将其放入化学溶液中，通过化学反应去除未被光致抗蚀剂保护的薄膜，完成图形转移。
干法刻蚀的过程
· 过程描述：使用气态的化学刻蚀剂去除部分材料并形成可挥发性的生成物，然后将其抽离反应腔。这种方法可以直接利用光阻作刻蚀之阻绝遮幕，不需要另行成长阻绝遮幕之半导体材料。
刻蚀技术是集成电路制造过程中的一项关键工艺，它通过化学或物理的方法精确地去除晶圆表面的材料，形成功能电路和结构。湿法和干法刻蚀各自有其特点和应用场景，而随着技术的不断进步，更加精细和高效的刻蚀方法如原子层刻蚀正逐渐被开发和应用。
扫一扫，加我微信
用户名
姓名
