当强制许可涉及的发明创造为半导体技术时，需要遵循特定的法律程序和条件。以下是一些要点和解释：

1. 法律依据

• 专利法规定：根据中国的专利法，国务院专利行政部门在特定情况下有权给予半导体技术发明创造的强制许可。
• 国际条约：国际条约如《TRIPS协定》也可能对半导体技术的专利强制许可有所规定，需要遵守相关国际义务。

2. 适用条件

• 技术进步：涉及的半导体技术发明创造必须比前已经取得专利权的发明或实用新型具有显著经济意义的重大技术进步。
• 实施依赖：该半导体技术的实施必须依赖于前一发明或实用新型的实施。

3. 许可范围

• 非独占性：强制许可通常是非独占性的，可以授权多个被许可方使用涉及的半导体技术。
• 限定条件：强制许可的范围可能受到地域、时间、领域等限制。

4. 许可费用

• 合理费用：被许可方需要向专利权人支付合理的使用费，通常由国家专利行政部门或法院确定。
• 费用分配：在某些情况下，使用费可能需要按照一定的比例分配给专利权人和国家。

5. 法律程序

• 申请与审批：需要使用涉及半导体技术的第三方可以向国家专利行政部门提出强制许可的申请，由其审批决定是否颁发许可。
• 司法审查：在某些情况下，专利权人可以对强制许可的决定提起司法审查。

6. 专业咨询

• 专利咨询：在处理涉及半导体技术的强制许可相关事宜时，建议咨询专利代理人或律师，以确保正确理解并遵守所有法律要求。

当强制许可涉及的发明创造为半导体技术时，需要遵循特定的法律程序和条件，确保合法合规地实施相关技术。与专利专业人士合作，可以确保正确处理与半导体技术发明创造的强制许可相关的所有事宜。