当N型和P型半导体制作在一起时，会发生一系列现象，这些现象是构成半导体器件的基础。以下是一些关键现象：
1. 内建电势
· 由于载流子的扩散，PN结两侧分别形成了负电荷和正电荷的积累，从而产生了一个内建电势，通常称为接触电势或扩散电势。
2. 耗尽区的形成
· 内建电场会阻止进一步的载流子扩散，导致在PN结附近形成一个几乎没有自由载流子的区域，即耗尽区或空间电荷区。
3. 整流特性
· PN结具有整流特性，即在正向偏置下导通，在反向偏置下截止。这是由外加电压改变了耗尽区的宽度和电场强度所致。
4. 击穿现象
· 当反向偏置电压超过一定值时，PN结会发生击穿，电流急剧增加。击穿可以是雪崩击穿或齐纳击穿。
5. 光电效应
· 当光照射到PN结上时，可以产生光生载流子，这些载流子在电场的作用下被分离，产生光电流，这是光伏效应的基础。
6. 复合和发射
· 在PN结附近，电子和空穴可以复合，释放出能量，这通常是以光的形式。在某些器件中，这种效应被用来制造发光二极管（LED）。
这些现象是半导体器件如二极管、晶体管、太阳能电池和LED等的基本工作原理。集成电路中广泛利用了这些现象来设计和制造各种功能的器件。
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