本征半导体和杂质半导体是半导体物理中的两个基本概念，它们在集成电路制造中有着不同的应用和特性。以下是它们的主要区别：

1. 定义

· 本征半导体：是指没有任何杂质或缺陷的纯净半导体材料，其导电性完全由温度引起的载流子（电子和空穴）产生。

· 杂质半导体：是通过有意识地向半导体材料中添加特定杂质（掺杂）来改变其电导率的材料。

2. 电导率

· 本征半导体：在常温下，本征半导体的电导率非常低，因为它们几乎没有自由电子和空穴。电导率随着温度的升高而增加，因为高温可以产生更多的电子-空穴对。

· 杂质半导体：杂质半导体的电导率高于本征半导体，因为掺杂引入了额外的自由载流子。n型半导体通过添加施主杂质增加了自由电子的浓度，而p型半导体通过添加受主杂质增加了空穴的浓度。

3. 载流子类型

· 本征半导体：在本征半导体中，电子和空穴的数量是相等的，它们都参与导电。

· 杂质半导体：在n型半导体中，电子是多数载流子，而在p型半导体中，空穴是多数载流子。

4. 应用

· 本征半导体：由于其导电性较差，本征半导体在实际应用中较少使用。

· 杂质半导体：杂质半导体是集成电路和所有半导体器件的基础，因为它们的电导率可以通过掺杂精确控制。

本征半导体和杂质半导体的主要区别在于是否存在有意添加的杂质，以及这些杂质如何影响材料的电导率和载流子类型。在集成电路制造中，杂质半导体的应用远广于本征半导体。