集成电路中场效应晶体管（FET）主要分为两种类型：金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）和结型场效应晶体管（JFET）。下面介绍这两种类型的主要特点和子类别：

1. 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

· 工作原理：MOSFET通过在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的电流。栅极与源漏极之间有一个绝缘的氧化物层，因此输入阻抗很高。

· 子类别：

§ 增强型MOSFET：在栅极电压为零时，源漏极之间没有导电通道；当栅极电压达到一定值（阈值电压）时，导电通道形成，电流开始流动。

§ 耗尽型MOSFET：在栅极电压为零时，源漏极之间存在导电通道；通过施加负栅极电压可以减小或耗尽导电通道，从而控制电流。

2. 结型场效应晶体管（JFET）

· 工作原理：JFET通过在栅极上施加反向偏压来控制源极和漏极之间的电流。栅极与源漏极之间形成一个PN结，因此输入阻抗也很高。

· 子类别：

§ N沟道JFET：在栅极电压为零时，源漏极之间有导电通道；通过施加负栅极电压可以减小导电通道，从而控制电流。

§ P沟道JFET：在栅极电压为零时，源漏极之间有导电通道；通过施加正栅极电压可以减小导电通道，从而控制电流。

这两种FET的主要区别在于栅极控制机制和结构。MOSFET通常用于数字和模拟集成电路，因为它们具有高输入阻抗、低功耗和易于制造的特点。JFET则常用于模拟电路，特别是低噪声放大器和高频应用，因为它们具有较好的频率响应和低噪声特性。